| 000 -CABECERA |
|---|
| Campo de control de longitud fija |
02648ctm a2200397 a 4500 |
| 003 - IDENTIFICADOR DEL NÚMERO DE CONTROL |
|---|
| Campo de control |
AR-BaUFI |
| 005 - FECHA Y HORA DE LA ÚLTIMA TRANSACCIÓN |
|---|
| Campo de control |
20240214230612.0 |
| 008 - CÓDIGOS DE INFORMACIÓN DE LONGITUD FIJA |
|---|
| Campo de control de longitud fija |
110301s2011 ag ||||| m||||||||||spa|c |
| 040 ## - FUENTE DE LA CATALOGACIÓN |
|---|
| Centro catalogador de origen |
AR-BaUFI |
| 084 ## - OTRO NUMERO DE CLASIFICACION |
|---|
| Clasificación |
T 1828 |
| 100 1# - PUNTO DE ACCESO PRINCIPAL - NOMBRE DE PERSONA |
|---|
| Nombre de persona |
Sambuco Salomone, Lucas Ignacio |
| 9 (RLIN) |
12486 |
| 245 00 - MENCIÓN DE TÍTULO |
|---|
| Título |
Estudio de inestabilidades en estructuras MOS con dieléctricos nanométricos de alto K |
| 260 ## - PUBLICATION, DISTRIBUTION, ETC. (IMPRINT) |
|---|
| Fecha de publicación distribución etc. |
2011 |
| 300 ## - DESCRIPCIÓN FÍSICA |
|---|
| Extensión |
x, 215 p. : |
| Otras características físicas |
gráfs., tablas ; |
| Dimensiones |
30 cm |
| 500 ## - NOTA GENERAL |
|---|
| Nota general |
Resumen al final de cada capítulo |
| 502 ## - NOTA DE TESIS |
|---|
| Nota de tesis |
Tesis de grado -- Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. UBAFI, 2011 |
| 504 ## - NOTA DE BIBLIOGRAFÍA; ETC. |
|---|
| Nota de bibliografía etc. |
Bibliografía p.197-215 |
| 650 #7 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA - TÉRMINO DE MATERIA |
|---|
| Término de materia o nombre geográfico como elemento inicial |
CARACTERIZACION |
| Fuente del encabezamiento o término |
EIT |
| 9 (RLIN) |
16217 |
|
|---|
| Término de materia o nombre geográfico como elemento inicial |
MATERIALES COMPUESTOS LAMINADOS |
| Fuente del encabezamiento o término |
EIT |
| 9 (RLIN) |
19648 |
|
|---|
| Término de materia o nombre geográfico como elemento inicial |
MATERIALES NANOESTRUCTURADOS |
| Fuente del encabezamiento o término |
EIT |
| 9 (RLIN) |
19672 |
|
|---|
| Término de materia o nombre geográfico como elemento inicial |
DIELECTRICOS |
| Fuente del encabezamiento o término |
INTI |
| 9 (RLIN) |
17267 |
|
|---|
| Término de materia o nombre geográfico como elemento inicial |
DISPOSITIVOS MOS |
| Fuente del encabezamiento o término |
EIT |
| 9 (RLIN) |
17397 |
| 653 #4 - TÉRMINO DE INDIZACIÓN - NO CONTROLADO |
|---|
| Término no controlado |
ALUMINA |
|
|---|
| Término no controlado |
COMPUESTOS DE HAFNIO |
|
|---|
| Término no controlado |
INESTABILIDAD |
| 700 1# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL - NOMBRE DE PERSONA |
|---|
| Nombre de persona |
Lipovetzky, José |
| Término indicativo de función |
Co-Director |
| 9 (RLIN) |
8580 |
|
|---|
| Nombre de persona |
Faigón, Adrián Néstor |
| Término indicativo de función |
Director |
| 9 (RLIN) |
4881 |
| 786 1# - ENLACE A UNA FUENTE DE INFORMACIÓN |
|---|
| Otro identificador del documento |
AIG |
| 942 ## - ENTRADA PARA ELEMENTOS AGREGADOS (KOHA) |
|---|
| -- |
TES |
| Suprimido en OPAC |
Mostrar Registro |
| 955 ## - INFORMACIÓN ADICIONAL TESIS |
|---|
| Carrera |
Ingeniería Electrónica |
| Grado alcanzado |
Ingeniero Electrónico |
| 985 ## - |
|---|
| -- |
C |
| -- |
1 |
| 997 ## - TIPO DE DOCUMENTO (BIBUN) |
|---|
| TIPO DE DOCUMENTO |
TESIS |
